Renoir, AM4, 8 ядер, частота 4.4/3.6 ГГц, кэш 4 Мб + 8 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
Raphael, AM5, 12 ядер, частота 5.4/3.7 ГГц, кэш 12 МБ + 64 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
![Оперативная память AMD 16GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [R7416G2400S2S-UO]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/180781/6307f9c93458b-228x228.jpeg "Оперативная память AMD 16GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [R7416G2400S2S-UO]")
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
Kabini, AM1, 2 ядра, частота 1.45 ГГц, кэш 1 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 25W
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
Vermeer, AM4, 6 ядер, частота 4.6/3.7 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
![Процессор AMD A6-7470K [AD747KYBI23JC]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/340/14898/630fe7c535244-228x228.png "Процессор AMD A6-7470K [AD747KYBI23JC]")
Godavari, FM2+, 2 ядра, частота 4/3.7 ГГц, кэш 1 Мб + , TDP 65W
К сравнению
В избранное
Naples, SP3, 32 ядра, частота 3/2 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 155W
К сравнению
В избранное
Genoa, SP5, 24 ядра, 48 потоков, частота 4.3/4.05 ГГц, кэш 256 МБ, TDP 320W
К сравнению
В избранное
Picasso, AM4, 4 ядра, частота 4.2/3.7 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
Raven Ridge, AM4, 2 ядра, частота 3.5 ГГц, кэш 1 Мб + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
Cezanne, AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.6/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ GDDR5, 512sp, 128 бит, 1 слот, питание нет, DisplayPort, miniDisplayPort
К сравнению
В избранное
Matisse, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
Bristol Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.8/3.5 ГГц, кэш 2 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2133 МГц, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
Richland, FM2, 2 ядра, частота 4.2/4 ГГц, кэш 1 Мб + , техпроцесс 32 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
Rome, SP3, 12 ядер, частота 3.2/2.9 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 120W
К сравнению
В избранное
Matisse, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
Rome, SP3, 48 ядер, частота 3.3/2.3 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 225W
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
128 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4,контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/680 MBps
К сравнению
В избранное
Zen+, AM4, 2 ядра, частота 3.4 ГГц, кэш 1 МБ + 4 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 35W
К сравнению
В избранное