AMD

8 ГБ GDDR6, 1183 МГц / 1930 МГц, 2304sp, 256 бит, 2 слота, питание 6+8 pin, miniHDMI, USB Type-C

Trinity, FM2, 2 ядра, частота 3.6/3.2 ГГц, кэш 1 МБ + , техпроцесс 32 нм, TDP 65W

Rome, SP3, 64 ядра, частота 3.35/2 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

AMD Radeon RX 6600, базовая частота 2044 МГц, макс. частота 2491 МГц, 1792sp, частота памяти 14000 МГц, 128 бит, доп. питание: 8 pin, 2 слота, HDMI, DisplayPort

2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

Raven Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.6/3.2 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

Raphael, AM5, 8 ядер, частота 5/4.2 ГГц, кэш 8 МБ + 96 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 120W

Matisse, AM4, 12 ядер, частота 4.6/3.8 ГГц, кэш 6 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

Zen 3, sWRX8, 16 ядер, частота 4.5/4 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

Castle Peak, sTRX4, 24 ядра, частота 4.5/3.8 ГГц, кэш 12 МБ + 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

Matisse, AM4, 6 ядер, частота 4.5/3.8 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 95W

Matisse, AM4, 8 ядер, частота 4.7/3.9 ГГц, кэш 4 Мб + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

Naples, SP3, 24 ядра, частота 3.35/2.8 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W

4 ГБ GDDR5, 1125 МГц / 1201 МГц, 1024sp, 128 бит, 1 слот, miniDisplayPort

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

Rome, SP3, 64 ядра, частота 3.35/2 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

Renoir, AM4, 4 ядра, частота 4/3.8 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4900/1400 МБайт/с

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

SP3, 64 ядра, частота 3.67/2 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W

SP3, 32 ядра, частота 3.7/2.8 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

Picasso, AM4, 4 ядра, частота 4/3.3 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 35W

2024 г, Granite Ridge, AM5, 12 ядер, 24 потока, частота 5.6/4.4 ГГц, кэш 12 МБ + 64 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 120W

Vermeer, AM4, 16 ядер, частота 4.9/3.4 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

Cezanne, AM4, 8 ядер, частота 4.6/3.2 ГГц, кэш 4 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 35W

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

Milan, SP3, 32 ядра, частота 3.7/2.8 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 240W