16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3000 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
Pinnacle Ridge, AM4, 6 ядер, частота 3.6/3.2 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
Raphael, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 5.3/4.7 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 105W
К сравнению
В избранное
![SSD AMD Radeon R3 240GB [R3SL240G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/344/733070/62e34ead0dceb-228x228.jpg "SSD AMD Radeon R3 240GB [R3SL240G]")
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2256KX, микросхемы TLC, последовательный доступ: 520/470 MBps
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
Raven Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.8/3.2 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W
К сравнению
В избранное
SP3, 64 ядра, частота 3.68/2 ГГц, кэш 256 МБ, TDP 240W
К сравнению
В избранное
Bristol Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.5/3 ГГц, кэш 2 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 35W
К сравнению
В избранное
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с
К сравнению
В избранное
8 ГБ GDDR6, 1408sp, 128 бит, 1 слот, питание 6 pin, DisplayPort
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
2 ГБ GDDR5, 925 МГц / 1219 МГц, 512sp, 64 бит, 1 слот, питание нет, DisplayPort, miniDisplayPort
К сравнению
В избранное
Carrizo, FM2+, 4 ядра, частота 3.8/3.5 ГГц, кэш 2 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 45W
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
Matisse, AM4, 4 ядра, частота 4.3/3.8 ГГц, кэш 2 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
Naples, SP3, 16 ядер, частота 2.7/2.2 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 170W
К сравнению
В избранное
Richland, FM2, 2 ядра, частота 4.1/3.9 ГГц, кэш 1 Мб + , техпроцесс 32 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
Rome, SP3, 64 ядра, частота 3.4/2.25 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 225W
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
Summit Ridge, AM4, 8 ядер, частота 3.7/3 ГГц, кэш 4 Мб + 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ GDDR6, 1408sp, 128 бит, 1 слот, питание 6 pin, DisplayPort
К сравнению
В избранное