AMD

Zen, sWRX8, 16 ядер, частота 4.3/3.9 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

Zen, sWRX8, 32 ядра, частота 4.2/3.5 ГГц, кэш 16 МБ + 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

Zen, sWRX8, 16 ядер, частота 4.3/3.9 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

Rome, SP3, 64 ядра, частота 3.3/2 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 225W

Bristol Ridge, AM4, 4 ядра, частота 4/3.8 ГГц, кэш 2 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 65W

Cezanne, AM4, 8 ядер, частота 4.6/3.8 ГГц, кэш 4 Мб + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Genoa, SP5, 48 ядер, 96 потоков, частота 3.8/2.75 ГГц, кэш 256 МБ, TDP 290W

Summit Ridge, AM4, 8 ядер, частота 3.8/3.4 ГГц, кэш 4 Мб + 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 95W

Cezanne, AM4, 8 ядер, частота 4.6/3.8 ГГц, кэш 4 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

120 ГБ, 2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2256KX, микросхемы TLC, последовательный доступ: 520/360 МБайт/с

Raven Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.9/3.6 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В

Vishera, AM3+, 4 ядра, частота 4.3/4.2 ГГц, кэш 4 МБ + 8 МБ, техпроцесс 32 нм, TDP 125W

Matisse, AM4, 6 ядер, частота 4.1/3.6 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

· Summit Ridge, 6 ядер· техпроцесс 14 нм· AM4· частота 4/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ· TDP 95W

Matisse, AM4, 8 ядер, частота 4.5/3.9 ГГц, кэш 4 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

Renoir, AM4, 6 ядер, частота 4.1/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 8 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Picasso, AM4, 4 ядра, частота 3.8/3.3 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 35W

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

Matisse, AM4, 8 ядер, частота 4.5/3.9 ГГц, кэш 4 Мб + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

AM3+, 4 ядра, частота 4.2/4 ГГц, кэш 4 МБ, TDP 95W

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

Summit Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.4/3.1 ГГц, кэш 2 МБ + 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

128 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/465 МБайт/с

Godavari, FM2+, 2 ядра, частота 3.8/3.5 ГГц, кэш 1 Мб + , TDP 65W

8 ГБ GDDR5, 713 МГц / 1086 МГц, 1792sp, 256 бит, 1 слот, DisplayPort