AMD

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

Zen, sWRX8, 32 ядра, частота 4.2/3.5 ГГц, кэш 16 МБ + 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3466 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

Castle Peak, sTRX4, 64 ядра, частота 4.3/2.9 ГГц, кэш 32 МБ + 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

Cezanne, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Naples, SP3, 24 ядра, частота 3.2/2.3 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W

Naples, SP3, 32 ядра, частота 3/2 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W

SP3, 64 ядра, частота 3.3/2.6 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

Naples, SP3, 32 ядра, частота 3.2/2.2 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W

120 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/330 МБайт/с, случайный доступ: 42000/41000 IOps

Rome, SP3, 8 ядер, частота 3.2/3.1 ГГц, кэш 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 120W

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23-42, напряжение 1.35 В

Picasso, AM4, 4 ядра, частота 4/3.6 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 65W

Pinnacle Ridge, AM4, 6 ядер, частота 3.6/3.2 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 65W

Raphael, AM5, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.4/4.5 ГГц, кэш 8 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 105W

Matisse, AM4, 12 ядер, частота 4.7/3.8 ГГц, кэш 6 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

Picasso, AM4, 4 ядра, частота 3.9/3.3 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 35W

Phoenix, AM5, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.1/4.2 ГГц, кэш 8 МБ + 16 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 65W

Cezanne, AM4, 6 ядер, частота 4.4/3.4 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 35W

Bristol Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.8/3.5 ГГц, кэш 2 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 65W

Raven Ridge, AM4, 2 ядра, частота 3.4 ГГц, кэш 1 Мб + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W