AMD

Cezanne, AM4, 8 ядер, частота 4.6/3.8 ГГц, кэш 4 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/4800 МБайт/с

Summit Ridge, AM4, 6 ядер, частота 3.6/3.2 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

Renoir, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.7 ГГц, кэш 3 МБ + 8 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Kaveri, FM2+, 4 ядра, частота 3.8/3.1 ГГц, кэш 4 Мб + , техпроцесс 28 нм, TDP 65W

Naples, SP3, 8 ядер, частота 2.9/2.5 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 155W

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

Renoir, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.7 ГГц, кэш 3 МБ + 8 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Summit Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.4/3.1 ГГц, кэш 2 МБ + 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Summit Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.7/3.5 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Rome, SP3, 32 ядра, частота 3.35/2.35 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 155W

Pinnacle Ridge, AM4, 8 ядер, частота 4.3/3.7 ГГц, кэш 4 Мб + 16 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 105W

Bristol Ridge, AM4, 4 ядра, частота 3.6/3.2 ГГц, кэш 2 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 65W

Genoa, SP5, 96 ядер, частота 3.55/2.4 ГГц, кэш 384 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 400W

Vishera, AM3+, частота 4/3.8 ГГц, кэш 4 МБ + 4 МБ, техпроцесс 32 нм, TDP 95W

Matisse, AM4, 4 ядра, частота 3.9/3.6 ГГц, кэш 2 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Matisse, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Renoir, AM4, 8 ядер, частота 4.3/3.1 ГГц, кэш 4 МБ + 8 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 35W

Cezanne, AM4, 6 ядер, частота 4.4/3.9 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

Phoenix, AM5, 6 ядер, частота 5/4.3 ГГц, кэш 6 МБ + 16 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 65W

Whitehaven, TR4, 8 ядер, частота 4/3.8 ГГц, кэш 4 Мб + 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

2024 г, Vermeer, AM4, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.1/3 ГГц, кэш 4 МБ + 96 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

120 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/290 МБайт/с