500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe),контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4700/1900 МБайт/с
198.13 руб.
от 3.19 р./мec
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В
195.93 руб.
от 3.15 р./мec
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 95000/90000 IOps
713.52 руб.
от 11.48 р./мec
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 95000/90000 IOps
336.69 руб.
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, DRAM-буфер
1 337.40 руб.
от 21.52 р./мec
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
533.34 руб.
от 8.58 р./мec
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
338.11 руб.
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4),контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/1900 МБайт/с
203.46 руб.
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
203.27 руб.
от 3.27 р./мec
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-16-16-35, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe),контроллер Phison PS5013-E13T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2300/940 MBps, случайный доступ: 95000/215000 IOps
К сравнению
В избранное
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe),контроллер Phison PS5013-E13T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2100/1150 MBps, случайный доступ: 170000/260000 IOps
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
M.2, SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 95000/90000 IOps
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 8GB DDR3 PC3-12800 [CT8G3ERSLS4160B]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/790539/62dd8f52d6451-228x228.png "Оперативная память Crucial 8GB DDR3 PC3-12800 [CT8G3ERSLS4160B]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 4GB DDR4 PC4-19200 [CT4G4DFS824A]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/130063/630a9593edffd-228x228.png "Оперативная память Crucial 4GB DDR4 PC4-19200 [CT4G4DFS824A]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное