32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 2GB DDR3 PC3-12800 [CT25664BD160BJ]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/15136/630fe74789698-228x228.png "Оперативная память Crucial 2GB DDR3 PC3-12800 [CT25664BD160BJ]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 4GB DDR3 PC3-12800 [CT51264BD160BJ]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/15137/630fe746239d2-228x228.jpg "Оперативная память Crucial 4GB DDR3 PC3-12800 [CT51264BD160BJ]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Micron DM02A1, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6600/5000 МБайт/с, DRAM-буфер, совместимость с PS5
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
M.2, SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 95000/90000 IOps
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 16GB DDR4 PC4-19200 [CT16G4DFD824A]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/15141/630fe7413d199-228x228.png "Оперативная память Crucial 16GB DDR4 PC4-19200 [CT16G4DFD824A]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [CT4G4SFS824A]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/15143/62d6219cac5db-228x228.jpeg "Оперативная память Crucial 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [CT4G4SFS824A]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [CT8G4SFS824A]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/15144/630fe73fb8449-228x228.jpg "Оперативная память Crucial 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [CT8G4SFS824A]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
M.2, SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 95000/90000 IOps
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное