2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 8GB DDR4 PC4-21300 [CT8G4DFS8266]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/130130/630a955a50053-228x228.jpeg "Оперативная память Crucial 8GB DDR4 PC4-21300 [CT8G4DFS8266]")
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-46, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 15-16-16-35, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe),контроллер Phison PS5013-E13T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2400/1900 MBps
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное