8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3400/3000 MBps
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 16GB DDR4 PC4-19200 [CT16G4RFD424A]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/177344/62d4cc5a60520-228x228.jpeg "Оперативная память Crucial 16GB DDR4 PC4-19200 [CT16G4RFD424A]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 МБайт/с
К сравнению
В избранное
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4,контроллер Micron DM02A1, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6600/5000 MBps, совместимость с PS5
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4,контроллер Micron DM02A1, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6600/4000 MBps, совместимость с PS5
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное