CRUCIAL

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1900/950 MBps, случайный доступ: 90000/220000 IOps

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.4 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В