8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.3 В
К сравнению
В избранное
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память GeIL 8GB DDR3 PC3-12800 [GG38GB1600C11S]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/6450/63101806e3833-228x228.jpg "Оперативная память GeIL 8GB DDR3 PC3-12800 [GG38GB1600C11S]")
1 модуль, частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258H, микросхемы 3D TLC NAND
К сравнению
В избранное
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258H, микросхемы 3D TLC NAND
К сравнению
В избранное
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258H, микросхемы 3D TLC NAND
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 4133 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память GeIL 4GB DDR3 PC3-12800 [GG34GB1600C11S]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/4957/63101c919fe26-228x228.jpg "Оперативная память GeIL 4GB DDR3 PC3-12800 [GG34GB1600C11S]")
1 модуль, частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное