Intel

1 модуль

2.5", U.2 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3050 MBps, случайный доступ: 638000/222000 IOps

Skylake-X, LGA2066, 8 ядер, частота 4.5/3.8 ГГц, кэш 16.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

Skylake, LGA3647, 6 ядер, частота 1.7 ГГц, кэш 8.3 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

домашний/офисный, Intel Core i7 1165G7, графика: встроенная в процессор

2.5", U.2 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3200 MBps, случайный доступ: 654000/210500 IOps

Comet Lake, LGA1200, 10 ядер, частота 5.2/2.8 ГГц, кэш 20 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.5/3.5 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

Broadwell, LGA2011-3, 6 ядер, частота 3.7/3.4 ГГц, кэш 20 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 135W

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 2200/1000 MBps, случайный доступ: 550000/250000 IOps

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps, случайный доступ: 75000/8500 IOps

Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.4/3.7 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 62W

802.11ac + Bluetooth 5.0, до 1733 Mbps, 802.1X

Broadwell, LGA2011-3, 8 ядер, частота 3.8/3.2 ГГц, кэш 25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 135W

Haswell, LGA2011-3, 6 ядер, частота 3.2/2.4 ГГц, кэш 15 МБ, техпроцесс 22 нм, TDP 85W

Ivy Bridge-EP, LGA2011, 6 ядер, частота 3.1/2.6 ГГц, кэш 1.5 МБ + 15 МБ, техпроцесс 22 нм, TDP 80W

Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.6/3.4 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

2016 г, Broadwell, LGA2011-3, частота 3.5/2.6 ГГц, кэш 35 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 135W

Kaby Lake, LGA1151, 2 ядра, частота 2.9 ГГц, кэш 3 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 МБайт/с, случайный доступ: 205000/265000 IOps, DRAM-буфер

Broadwell, LGA2011-3, 14 ядер, частота 3.2/2 ГГц, кэш 35 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 105W

Alder Lake, LGA1700, 6 ядер, частота 4.8/3.3 ГГц, кэш 7.5 МБ + 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 117W

плата расширения, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1575 MBps, случайный доступ: 610000/196650 IOps

Skylake, LGA3647, 12 ядер, частота 3.2/2.3 ГГц, кэш 16.5 МБ, TDP 105W

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3230/1625 MBps, случайный доступ: 340000/275000 IOps

Skylake, LGA3647, 4 ядра, частота 3.7/3.6 ГГц, кэш 16.5 МБ, TDP 105W

Ice Lake, LGA4189, 12 ядер, частота 3.3/2.1 ГГц, кэш 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 120W

Comet Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 4.8/2.9 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/480 MBps, случайный доступ: 72000/65000 IOps

2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 75000/85000 IOps