960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 95000/35000 IOps
751.46 руб.
2.5", PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3100 MBps, случайный доступ: 835000/105000 IOps
1 768.54 руб.
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с
1 791.01 руб.
от 29.09 р./мec
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
1 177.71 руб.
3.2 ТБ, 2.5", U.2 (PCIe Gen3 x4 NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3100 МБайт/с, случайный доступ: 835000/210000 IOps
1 734.30 руб.
от 28.17 р./мec
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2.5", PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1500 MBps
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![SSD Micron 5100 Eco 960GB [MTFDDAK960TBY-1AR1ZABYY]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/344/988178/633cb4a60e051-228x228.jpeg "SSD Micron 5100 Eco 960GB [MTFDDAK960TBY-1AR1ZABYY]")
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 93000/28000 IOps
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2.1), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1600 MBps, случайный доступ: 240000/210000 IOps
К сравнению
В избранное
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe), последовательный доступ: 6800/5600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/215000 IOps
К сравнению
В избранное
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/350 MBps, случайный доступ: 83000/6500 IOps
К сравнению
В избранное
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1300/425 MBps
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6600/5400 MBps, случайный доступ: 1000000/190000 IOps
К сравнению
В избранное
M.2, SATA 3.0,контроллер Marvell 88SS1074, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/520 MBps, случайный доступ: 90000/87000 IOps
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1300/425 MBps
К сравнению
В избранное
128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-46, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
3.2 ТБ, 2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1900 MBps, случайный доступ: 520000/160000 IOps
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/58000 IOps
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное