16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2.5", PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3500 MBps, случайный доступ: 850000/145000 IOps
К сравнению
В избранное
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/850 MBps, случайный доступ: 220000/45000 IOps
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND
К сравнению
В избранное
2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/850 MBps
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
2.5", PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3100 MBps, случайный доступ: 835000/105000 IOps
К сравнению
В избранное