Процессоры

Pinnacle Ridge, AM4, 6 ядер, частота 3.9/3.4 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 65W

Comet Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.3/2.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 6/2.4 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

2017 г, Skylake-X, LGA2066, частота 4.3/3.3 ГГц, кэш 13 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 140W

Matisse, AM4, 6 ядер, частота 4.1/3.6 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Renoir, AM4, 4 ядра, частота 4/3.8 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Coffee Lake, LGA1151 v2, 8 ядер, частота 4.7/3 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Alder Lake, LGA1700, 12 ядер, частота 5/2.7 ГГц, кэш 12 МБ + 25 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 190W

Rome, SP3, 64 ядра, частота 3.4/2.25 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 225W

Raptor Lake, LGA1700, 14 ядер, частота 5.1/2.6 ГГц, кэш 20 МБ + 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 181W

Raptor Lake-R, LGA1700, 14 ядер, частота 5.3/2.6 ГГц, кэш 20 МБ + 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 181W

SP3, 8 ядер, частота 4.1/3.7 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

Cascade Lake, LGA3647, 12 ядер, частота 4.5/3.6 ГГц, кэш 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 205W

Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 3.7/3.1 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, частота 3.6/2 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

Cascade Lake, LGA3647, 16 ядер, 32 потока, частота 3.9/2.8 ГГц, кэш 22 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

Zen 3, sWRX8, 16 ядер, частота 4.5/4 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

2016 г, Broadwell, LGA2011-3, частота 3.5/2.6 ГГц, кэш 35 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 135W

Raven Ridge, AM4, 2 ядра, частота 3.2 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

2023 г, Storm Peak, TR5, 32 ядра, 64 потока, частота 5300/4000 ГГц, кэш 32 МБ + 128 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 350W

Cascade Lake, LGA3647, 16 ядер, частота 3.9/2.3 ГГц, кэш 22 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

Ice Lake, LGA4189, 20 ядер, частота 3.4/2.3 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.9/3.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

Kaveri, FM2+, 4 ядра, частота 3.8/3.1 ГГц, кэш 4 Мб + , техпроцесс 28 нм, TDP 65W

Kaby Lake, LGA1151, 4 ядра, частота 4.1/3.5 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Coffee Lake, LGA1151 v2, 8 ядер, частота 5/3.6 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 95W

Broadwell, LGA2011-3, 8 ядер, частота 4/3.4 ГГц, кэш 20 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 140W

Ivy Bridge-EP, LGA2011, 10 ядер, частота 3.6/2.8 ГГц, кэш 2.5 Мб + 25 МБ, техпроцесс 22 нм, TDP 115W

Haswell, LGA1150, 2 ядра, частота 3.3 ГГц, кэш 3 МБ, техпроцесс 22 нм, TDP 53W

Kaby Lake, LGA1151, 2 ядра, частота 2.9 ГГц, кэш 3 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W