8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.3 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память GOODRAM 2GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [GR1600S3V64L11/2G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/937529/62d17465dcdf3-228x228.jpg "Оперативная память GOODRAM 2GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [GR1600S3V64L11/2G]")
2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1866 МГц
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3733 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-40, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-43, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
