Оперативная память

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 8000 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-128, напряжение 1.45 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 32 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3733 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3733 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В