8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4400 МГц, CL 17T, тайминги 17-18-18-38, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair Vengeance LPX Red 2x4GB DDR4 PC4-21300 [CMK8GX4M2A2666C16R]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/1006474/6376b40dcd9e2-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX Red 2x4GB DDR4 PC4-21300 [CMK8GX4M2A2666C16R]")
8 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 4 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
128 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
