4 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-16-16, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3466 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 12T, тайминги 12-14-14, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3466 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 2666 МГц, CL 13T, тайминги 13-15-15, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 5000 МГц, CL 19T, тайминги 19-28-28, напряжение 1.55 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Foxline 4GB DDR2 PC2-6400 [FL800D2U6-4G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/130075/630a9588a0a6a-228x228.jpg "Оперативная память Foxline 4GB DDR2 PC2-6400 [FL800D2U6-4G]")
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x4GB DDR4 PC4-19200 [CMK8GX4M2A2400C16R]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/130112/630a9569a1fcb-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x4GB DDR4 PC4-19200 [CMK8GX4M2A2400C16R]")
2 модуля, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
