32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair Vengeance LPX Black 8GB DDR4 PC4-19200 [CMK8GX4M1A2400C16]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/130163/630a953cd86b9-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX Black 8GB DDR4 PC4-19200 [CMK8GX4M1A2400C16]")
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.45 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Patriot 2GB DDR2 PC2-6400 [PSD22G80026H]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/343496/6305a1b0e8b43-228x228.jpeg "Оперативная память Patriot 2GB DDR2 PC2-6400 [PSD22G80026H]")
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 2 модуля DDR3 SO-DIMM по 4 ГБ, частота 2133 МГц, CL 11T, тайминги 11-12-13, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-40, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Team Elite 4GB DDR4 PC4-19200 [TED44G2400C1601]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/750508/62d33f90ae480-228x228.jpeg "Оперативная память Team Elite 4GB DDR4 PC4-19200 [TED44G2400C1601]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Patriot Signature Line 16GB DDR4 PC4-17000 [PSD416G21332]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/33084/62d5ee21a533e-228x228.jpeg "Оперативная память Patriot Signature Line 16GB DDR4 PC4-17000 [PSD416G21332]")
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
