4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3333 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 4 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 14T, тайминги 14-16-16-31, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 11T, тайминги 11-12-13, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair 16GB DDR4 PC4-17000 [CMV16GX4M1A2133C15]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/129958/630a95e300972-228x228.png "Оперативная память Corsair 16GB DDR4 PC4-17000 [CMV16GX4M1A2133C15]")
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
