2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память AMD Radeon R9 Gamer Series 4GB DDR4 PC4-25600 [R944G3206U1S]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/704837/62e7196cb65ce-228x228.jpeg "Оперативная память AMD Radeon R9 Gamer Series 4GB DDR4 PC4-25600 [R944G3206U1S]")
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 1600 МГц, CL 18T
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [W-MEM2133R4S48G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/284179/62d4a7047168f-228x228.jpg "Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [W-MEM2133R4S48G]")
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
