1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Foxline 4GB DDR3 PC3-12800 [FL1600D3U11-4G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/856630/62d9d8a13dbfd-228x228.jpg "Оперативная память Foxline 4GB DDR3 PC3-12800 [FL1600D3U11-4G]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
