16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38-76, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38-76, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4000 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1866 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 14T, тайминги 14-16-16, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Patriot Signature Line 2x4GB DDR4 PC4-19200 [PSD48G2400K]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/195715/6306e3bb5867a-228x228.jpeg "Оперативная память Patriot Signature Line 2x4GB DDR4 PC4-19200 [PSD48G2400K]")
8 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 4 ГБ, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-24000 [CMK16GX4M2B3000C15]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/171818/63082a46ebc00-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-24000 [CMK16GX4M2B3000C15]")
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17-35, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38-76, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-24-24-46, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
