4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17-35, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память GOODRAM 8GB DDR3 PC3-12800 [GR1600D3V64L11/8G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/21917/630ee5102c204-228x228.jpg "Оперативная память GOODRAM 8GB DDR3 PC3-12800 [GR1600D3V64L11/8G]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Lenovo 32GB DDR4 PC4-19200 [46W0833]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/347387/63059fc087ce0-228x228.jpeg "Оперативная память Lenovo 32GB DDR4 PC4-19200 [46W0833]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 13T, тайминги 13-15-15, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2400 МГц, CL 12T, тайминги 12-14-14, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3466 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 SO-DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2933 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
