1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память AMD Radeon R7 8GB DDR4 PC4-17000 [R748G2133U2S]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/359028/63059d5f14545-228x228.jpg "Оперативная память AMD Radeon R7 8GB DDR4 PC4-17000 [R748G2133U2S]")
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 44T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3466 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 800 МГц, CL 5T, напряжение 1.8 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
