16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-19200 [CMK16GX4M2A2400C14]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/14852/630fe7d42b126-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-19200 [CMK16GX4M2A2400C14]")
2 модуля, частота 2400 МГц, CL 14T, тайминги 14-16-16-31, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 5066 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30-50, напряжение 1.6 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-96, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-89, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-84, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Foxline 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [FL1600D3S11-8G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/180728/6307f9e537f4a-228x228.jpeg "Оперативная память Foxline 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [FL1600D3S11-8G]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
