2 модуля, частота 3333 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7600 МГц, CL 36T, тайминги 36-42-42, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память GeIL 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [GGS38GB1600C11SC]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/188679/62d4c79dcf21c-228x228.jpg "Оперативная память GeIL 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [GGS38GB1600C11SC]")
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3466 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-89, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
