4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
128 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3733 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Kingston ValueRam 8GB DDR4 PC4-19200 [KVR24R17S8/8]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/275482/6306af68826f1-228x228.jpeg "Оперативная память Kingston ValueRam 8GB DDR4 PC4-19200 [KVR24R17S8/8]")
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3733 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-46, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A5244CB0-CRC]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/726440/62e471e032862-228x228.jpeg "Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A5244CB0-CRC]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.45 В
К сравнению
В избранное
