Оперативная память

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-84, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.25 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-84, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.25 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-42-42-84, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3466 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-16-16-35, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-76, напряжение 1.15 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-76, напряжение 1.15 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В