![Оперативная память Corsair Vengeance LPX Red 2x4GB DDR4 PC4-21300 [CMK8GX4M2A2666C16R]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/1006474/6376b40dcd9e2-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX Red 2x4GB DDR4 PC4-21300 [CMK8GX4M2A2666C16R]")
8 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 4 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
128 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 14T, тайминги 14-15-15-35, напряжение 1.45 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-96, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Kingston ValueRAM 2x4GB DDR3 PC3-10600 [KVR13N9S8HK2/8]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/129949/630a95e94b418-228x228.jpeg "Оперативная память Kingston ValueRAM 2x4GB DDR3 PC3-10600 [KVR13N9S8HK2/8]")
2 модуля, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
