1 модуль, частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Samsung 16GB DDR3 PC3-12800 [M393B2G70QH0-YK0]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/461188/63041a2d1ca09-228x228.jpeg "Оперативная память Samsung 16GB DDR3 PC3-12800 [M393B2G70QH0-YK0]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4266 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7800 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-84, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-115, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
