![Оперативная память Corsair Vengeance LPX 8GB DDR4 PC4-21300 [CMK8GX4M1A2666C16]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/14857/62d621e67e5da-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX 8GB DDR4 PC4-21300 [CMK8GX4M1A2666C16]")
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4 PC4-21300 [CMK16GX4M1A2666C16]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/171816/62d4d1561394e-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4 PC4-21300 [CMK16GX4M1A2666C16]")
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
