32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4266 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-19200 [SP008GBLFU240B02]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/347407/63038df8c9c8b-228x228.jpeg "Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-19200 [SP008GBLFU240B02]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30-50, напряжение 1.55 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-89, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4600 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30-50, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 2 модуля DDR3 DIMM по 4 ГБ, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.65 В
К сравнению
В избранное
