1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-76, напряжение 1.15 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Kingston ValueRAM 2x4GB DDR3 PC3-10600 [KVR13N9S8HK2/8]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/129949/630a95e94b418-228x228.jpeg "Оперативная память Kingston ValueRAM 2x4GB DDR3 PC3-10600 [KVR13N9S8HK2/8]")
2 модуля, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3466 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 2400 МГц, CL 12T, тайминги 12-14-14, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
