1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-89, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 28T, тайминги 28-34-34-89, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4266 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
