64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x4GB DDR4 PC-19200 [CMK8GX4M2A2400C16]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/14855/62d621e814025-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x4GB DDR4 PC-19200 [CMK8GX4M2A2400C16]")
8 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 4 ГБ, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.3 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 2 модуля DDR3 DIMM по 4 ГБ, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6800 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-84, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Patriot Signature Line 8GB DDR3 PC3-12800 [PSD38G16002H]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/180693/62d4cbc94bc12-228x228.jpeg "Оперативная память Patriot Signature Line 8GB DDR3 PC3-12800 [PSD38G16002H]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
