2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-19200 [CMK16GX4M2Z2400C16]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/129966/630a95da2e081-228x228.jpeg "Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-19200 [CMK16GX4M2Z2400C16]")
2 модуля, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-84, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-18-18-38, напряжение 1.45 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17-35, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-19200 [CMK16GX4M2A2400C14]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/14852/630fe7d42b126-228x228.png "Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-19200 [CMK16GX4M2A2400C14]")
2 модуля, частота 2400 МГц, CL 14T, тайминги 14-16-16-31, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 5066 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30-50, напряжение 1.6 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46-108, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.3 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-48-48-96, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
