8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8000 МГц, CL 40T, тайминги 40-48-48-128, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Foxline 4GB DDR3 PC3-10600 [FL1333D3U9S-4G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/803971/62dccb6d4929e-228x228.jpg "Оперативная память Foxline 4GB DDR3 PC3-10600 [FL1333D3U9S-4G]")
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Kingston ValueRam 8GB DDR4 PC4-17000 [KVR21N15S8/8]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/246102/6306b84ba3928-228x228.jpg "Оперативная память Kingston ValueRam 8GB DDR4 PC4-17000 [KVR21N15S8/8]")
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2133 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Foxline 4GB DDR4 PC4-17000 [FL2133D4U15-4G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/130059/630a959562b39-228x228.jpeg "Оперативная память Foxline 4GB DDR4 PC4-17000 [FL2133D4U15-4G]")
1 модуль, частота 2133 МГц
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память GOODRAM 4GB DDR3 PC3-12800 [GR1600D3V64L11S/4G]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/857697/62d9d3bdd2253-228x228.jpg "Оперативная память GOODRAM 4GB DDR3 PC3-12800 [GR1600D3V64L11S/4G]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
