2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 2GB DDR3 PC3-12800 [CT25664BD160BJ]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/15136/630fe74789698-228x228.png "Оперативная память Crucial 2GB DDR3 PC3-12800 [CT25664BD160BJ]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Kingston ValueRam 8GB DDR4 PC4-17000 SO-DIMM [KVR21S15S8/8]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/247890/6306b7bd0ef13-228x228.jpg "Оперативная память Kingston ValueRam 8GB DDR4 PC4-17000 SO-DIMM [KVR21S15S8/8]")
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3733 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.3 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.3 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
