32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-108, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-76, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 4133 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Crucial 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [CT4G4SFS824A]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/15143/62d6219cac5db-228x228.jpeg "Оперативная память Crucial 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [CT4G4SFS824A]")
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Patriot 16GB DDR4 PC4-19200 [PSD416G24002H]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/712983/62e5eed7e5578-228x228.jpeg "Оперативная память Patriot 16GB DDR4 PC4-19200 [PSD416G24002H]")
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-17000 [H5AN8G8NMFR-TFC]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/317044/6306a53542d42-228x228.jpeg "Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-17000 [H5AN8G8NMFR-TFC]")
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Patriot Signature Line 2x4GB DDR3 PC3-12800 [PSD38G1600KH]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/460586/63041adbb3c23-228x228.jpeg "Оперативная память Patriot Signature Line 2x4GB DDR3 PC3-12800 [PSD38G1600KH]")
2 модуля, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3800 МГц, CL 14T, тайминги 14-16-16-36, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4400 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.45 В
К сравнению
В избранное
4 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
