64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.25 В
К сравнению
В избранное
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/6600 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
К сравнению
В избранное
2.5", SATA 3.0, микросхемы SLC, последовательный доступ: 540/490 MBps
К сравнению
В избранное
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/400 MBps
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
2.5", SATA 3.0, микросхемы SLC, последовательный доступ: 530/470 MBps
К сравнению
В избранное
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/5500 МБайт/с, DRAM-буфер, совместимость с PS5
К сравнению
В избранное
M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3400/3000 MBps, случайный доступ: 450000/400000 IOps
К сравнению
В избранное
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3400/3000 MBps, случайный доступ: 680000/670000 IOps
К сравнению
В избранное
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6800 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-84, напряжение 1.4 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.3 В
К сравнению
В избранное
Уценка
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
![Оперативная память Team Elite 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [TED34G1600C11-S01]](https://www.amd.by/image/cache/catalog/products_new/342/833872/62db67c68ac15-228x228.jpeg "Оперативная память Team Elite 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [TED34G1600C11-S01]")
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
К сравнению
В избранное
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
128 ГБ, UHS-I (класс U3), V30, чтение: 100 МБ/с, запись: 50 МБ/с, адаптер
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное
К сравнению
В избранное
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
К сравнению
В избранное