Team

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/1400 МБайт/с, случайный доступ: 132000/985000 IOps

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В

128 ГБ, USB 3.2 Gen 1 Type-A (5 Гбит/сек), без колпачка, металл, цвет серый

64 ГБ, USB 3.2 Gen 1 Type-A (5 Гбит/сек), без колпачка, металл, цвет серый

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-84, напряжение 1.35 В

32 ГБ, USB 3.2 Gen 1 Type-A (5 Гбит/сек), с колпачком, пластик, цвет черный

64 ГБ, USB 3.2 Gen 1 Type-A (5 Гбит/сек), с колпачком, пластик, цвет черный

32 ГБ, USB 3.2 Gen 1 Type-A (5 Гбит/сек), с колпачком, металл, цвет темно-синий

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

64 ГБ, USB 3.2 Gen 1 Type-A (5 Гбит/сек), с колпачком, металл, цвет темно-синий

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, класс 10, UHS-I (класс U1), адаптер

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

64 ГБ, класс 10, UHS-I (класс U1), адаптер

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 32T, тайминги 32-36-36-76, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-84, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 32T, тайминги 32-36-36-76, напряжение 1.2 В

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1600 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-42-42-84, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.3 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В