Team

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-76, напряжение 1.35 В

2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/7000 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-24-24-46, напряжение 1.4 В

512 ГБ, 2.5

1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 MBps, случайный доступ: 750000/750000 IOps

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1500 МБайт/с, случайный доступ: 220000/200000 IOps

2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 MBps, случайный доступ: 750000/750000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/2900 МБайт/с, случайный доступ: 450000/400000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 70000/60000 IOps

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-76, напряжение 1.25 В

512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 70000/60000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 70000/60000 IOps

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-84, напряжение 1.35 В

2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/470 MBps, случайный доступ: 80000/35000 IOps

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 70000/60000 IOps

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-42-42-84, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.2 В

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-42-42-84, напряжение 1.4 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В